A technical paper titled “Improved Scheme for Estimating the Embedded Gate Resistance to Reproduce SiC MOSFET Circuit Performance” was published by researchers at ROHM Company. Find the technical ...
ルネサス エレクトロニクスは1月8日、従来のスーパージャンクション構造でなく、新たに開発したスプリットゲート構造のプロセス(REXFET-1)を採用したNチャネルMOSFETとして、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」とTOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売したこと ...
Toshiba Electronics Europe GmbH has launched six new products featuring the DTMOSVI 600V series of N-channel power MOSFET chips, mounted in a 4-pin TO-247-4L(X) package. These advanced TKxxxZ60Z1 ...
SiC-MOSFETの抵抗を低減するゲート絶縁膜プロセス技術の実デバイスへの適用に成功 －電力消費量およびCO2排出量の低減に貢献する次世代パワーデバイス技術の開発が前進－ 当社は、次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるSiC-MOSFET向けに開発してきた ...
[画像: https://prtimes.jp/i/1337/1144/resize/d1337-1144-749540-0.jpg] STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、絶縁型ゲート ...
回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、ローサイド SiCMOSFET および IGBT ゲートドライバ「IX4352NEシリーズ」を6月 ...
The gate current is programmable, helping engineers minimize MOSFET switching noise to meet electromagnetic compatibility ...
Toshiba Electronics Europe GmbH launches six new products featuring the DTMOSVI 600V series of N-channel power MOSFET chips ...
KAWASAKI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) has developed "X5M007E120," a bare die [1] 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for automotive traction ...
Most mission-critical systems need to be designed for near-zero downtime throughout their useful life. So, if a component of such a system fails or needs updating, it must be replaced without ...
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