STマイクロエレクトロニクス、IGBTおよびSiC MOSFET向けの柔軟な保護を実現する先進的なガルバニック絶縁ゲート･ドライバSTGAP3Sを発表 空調システムや生活家電、ファクトリ･オートメーション向けのモータドライブを備えた産業用機器、充電ステーションの ...

・ハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバとGaNパワー･トランジスタをワン･パッケージに集積し、充電器や電源を小型 ...

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「パワートランジスタ市場の分析：製品別、種類別、最終用途別、用途別、地域別（2025～2033年）」（IMARC ...

サーベイ・レポートLLCは、2025年1月に調査レポートを発行したと発表した。RFおよびマイクロ波パワートランジスタ市場のセグメンテーション タイプ別（LDMOS、GaN、GaAs、その他） 用途別（通信、産業、航空宇宙および防衛）- 「グローバル市場分析、動向 ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、シリコン・ベースのハーフブリッジ･ゲート・ドライバと、2つのGaN（窒化ガリウム）パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ（SiP）「MasterGaN®」に、非対称型トポロジ向けの ...

GaN3インチウェーハ（左）と1200V、20AのGaNトランジスタ（真ん中） なぜGaN（窒化ガリウム）のパワー半導体を扱うのですか、と聞くと、即座に「日本が発明した材料だから」と答えた小さなベンチャー企業がある。社員14名の小さな企業だが、試作生産できる ...

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「パワートランジスタ市場レポート：製品タイプ、最終用途、用途、地域別、2024～2032年」（IMARC Group）の ...

Surveyreportsの専門家は、パワートランジスタ市場の調査を分析し、2023年のパワートランジスタ市場規模は172億米ドルに達すると予測した。 さらに、パワー トランジスタ市場のシェアは、2032年末までに276億米ドルに達すると予測されている。