Johannes Kepler University Linz の Prof. Pretl による "Fifty Nifty Variations of Two-Transistor Circuits: A tribute to the versatility of MOSFETs" をテキストに，オープンソースの PDK である SkyWater 130 nm (sky130) ...

Takahiro Mori (Researcher) of the New Materials and Devices Integration Group, the Nanoelectronics Research Institute (Director: Tetsuji Yasuda), the National Institute of Advanced Industrial Science ...

What new electronic product is being researched by organizations in over 30 countries but none have sold anything yet? It is of huge significance to everyone in the electronic, printing, merchandising ...

研究成果 柔らかいバイオ有機デバイスだから、人に優しい。デジタル・ヘルスケアから医療ITまで。 2013-C45 (Oral) Hiroshi Fuketa, Kazuaki Yoshioka, Tomoyuki Yokota, Wakako Yukita, Mari Koizumi, Masaki Sekino, Tsuyoshi Sekitani, Makoto Takamiya, Takao ...

トランジスタ密度向上を加速させてプロセスコスト上昇を相殺 2016年の半導体学会ISSCC(IEEE International Solid-State Circuits Conference)には、Intelの製造部門を統括するWilliam M. Holt氏(Executive Vice President, General Manager, Technology and ...

トランジスタ界面に存在する原子位置の乱れがノイズ発生の起源 概要 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）デバイス技術研究部門 稲葉 工 研究員、岡 博史 研究員、森 貴洋 研究グループ長は、量子ビット素子の制御に用いる極 ...

昨今では、データセンタやIoTエッジデバイスをインフラとし、ビッグデータを利活用した社会サービスが、日々創造されている。その基盤となるコンピューティング技術において中核をなす半導体は現在“大規模集積化”が進められており、3次元集積化に ...

2021年のVLSIシンポジウムで、imecはフォークシートデバイスアーキテクチャを導入したことを報告し、ナノシートトランジスタファミリのスケーラビリティを1nmノードを超えて拡張した(図3)。 このフォークシートデバイスでは、n型トランジスタと p型 ...

この記事では、トランジスタのモデルパラメータを使用して、コレクタ電流（ICI_CIC ）とベース-エミッタ間電圧（VBEV_{BE}VBE ）の関係式を詳細に解析します。これらのパラメータは、SPICEモデルから抽出されたものであり、トランジスタの特性を理論的に ...