Cet article présente les circuits de commande des transistors à grille isolée MOSFET et IGBT. Il donne des éléments de dimensionnement et de protection contre les court-circuits. Puis il fournit des ...

Cet article s'intéresse aux circuits de commande évolués pour les composants de type MOSFET ou IGBT utilisés en électronique de puissance. Il aborde en détail, par une approche très pragmatique et ...

Un circuit de commande de grille de la famille STGAP du fabricant franco-italien a été spécifiquement conçu pour répondre aux besoins spécifiques des transistors de puissance en carbure de silicium.

Power Integrations a annoncé une nouvelle famille de pilotes de grille plug-and-play pour les modules MOSFET et IGBT en carbure de silicium (SiC) de 62 mm, d'une tension maximale de 1700 V, avec des ...

Magnachip Semiconductor Corporation a annoncé la mise sur le marché de quatre nouveaux transistors à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) MXT LV, utilisant la technologie Super-Short ...

Jusqu’à présent, les transistors Mosfet à drain commun de Toshiba étaient des modèles 12V dédiés principalement à la protection de batteries Li-ion dans les smartphones. Le Japonais innove en lançant ...